CMOS模拟电路设计

1 (p0-1): 目录
1 (p0-2): 第一章 绪论
1 (p0-3): 1.1 模拟集成电路设计
9 (p0-4): 1.2 字符、符号及名词术语
14 (p0-5): 1.3 模拟信号处理
17 (p0-6): 1.4 模拟电路设计举例
24 (p0-7): 1.5 小结
25 (p0-8): 习题
27 (p0-9): 参考文献
28 (p0-10): 第二章 CMOS工艺
29 (p0-11): 2.1 MOS半导体器件的基本生产过程
36 (p0-12): 2.2 pn结
46 (p0-13): 2.3 MOS晶体管
55 (p0-14): 2.4 无源元件
62 (p0-15): 2.5 有关CMOS工艺的一些其他问题
71 (p0-16): 2.6 集成电路的几何图形
82 (p0-17): 2.7 小结
83 (p0-18): 习题
88 (p0-19): 参考文献
91 (p0-20): 第三章 CMOS模拟电路的模型化
92 (p0-21): 3.1 MOS器件的简单大信号模型
100 (p0-22): 3.2 其他的MOS大信号模型参数
110 (p0-23): 3.3 MOS晶体管的小信号模型
114 (p0-24): 3.4 二阶效应的模型
120 (p0-25): 3.5 MOS器件的亚阈值模型
123 (p0-26): 3.6 使用计算机和计算器对MOS电路进行仿真模拟
141 (p0-27): 3.7 小结
142 (p0-28): 习题
147 (p0-29): 参考文献
149 (p0-30): 第四章 CMOS器件的特性表征
149 (p0-31): 4.1 几何形状对器件特性的影响
151 (p0-32): 4.2 简化的器件模型的表征
162 (p0-33): 4.3 扩展了的模型的晶体管特性表征
167 (p0-34): 4.4 1/f噪声
169 (p0-35): 4.5 其他有源元器件的表征
171 (p0-36): 4.6 电阻元件的表征
177 (p0-37): 4.7 电容的表征
182 (p0-38): 4.8 小结
183 (p0-39): 习题
189 (p0-40): 参考文献
190 (p0-41): 第五章 模拟CMOS子电路
191 (p0-42): 5.1 MOS开关
204 (p0-43): 5.2 有源电阻或负载
211 (p0-44): 5.3 电流沉和电流源
219 (p0-45): 5.4 电流镜和电流放大器
232 (p0-46): 5.5 基准电流和电压
244 (p0-47): 5.6 小结
244 (p0-48): 习题
249 (p0-49): 参考文献
250 (p0-50): 第六章 CMOS放大器
250 (p0-51): 6.1 反相器
265 (p0-52): 6.2 差分放大器
278 (p0-53): 6.3 共源共栅放大器
290 (p0-54): 6.4 输出级
299 (p0-55): 6.5 高增益放大器
304 (p0-56): 6.6 小结
305 (p0-57): 习题
312 (p0-58): 参考文献
313 (p0-59): 第七章 比较器
313 (p0-60): 7.1 比较器的模型
317 (p0-61): 7.2 CMOS比较器的发展
322 (p0-62): 7.3 两级比较器
337 (p0-63): 7.4 滞迟性比较器
344 (p0-64): 7.5 自动置零技术
348 (p0-65): 7.6 小结
348 (p0-66): 习题
351 (p0-67): 参考文献
352 (p0-68): 8.1 运算放大器的设计方法
352 (p0-69): 第八章 无缓冲CMOS运算放大器
360 (p0-70): 8.2 运算放大器的补偿
372 (p0-71): 8.3 两级运算放大器的设计
386 (p0-72): 8.4 共源共栅运算放大器
408 (p0-73): 8.5 运放的模拟与测量
428 (p0-74): 8.6 小结
429 (p0-75): 习题
438 (p0-76): 参考文献
439 (p0-77): 第九章 高性能CMOS运算放大器
440 (p0-78): 9.1 采用MOS作输出级的运放
451 (p0-79): 9.2 采用MOS/BJT作输出级的运放
462 (p0-80): 9.3 高速／高频CMOS运放
469 (p0-81): 9.4 低噪声运放
473 (p0-82): 9.5 斩波-稳定运算放大器
480 (p0-83): 9.6 微功率运算放大器
486 (p0-84): 9.7 动态运放电路
493 (p0-85): 9.8…